selam ortaya çıkan huni kriziden dolayı mı yoksa kullanılan tektik terimlerden dolayımı bilmiyom ben bu konudan hiç bir şey anlamadım olaya fransız kalmak çok kötü bir durum
yapılmak istenen cihaz bir dedektorün geliştirmek yada performansını test etmek için sanal olarak ölçüm cihazımı olucak ve bu cihazı yapmak için öncelikle cihazın beynini oluşturucak entegreyi
öncelikle kaba olarak inşa edip sonra bunun küçültürmek sanırım böyle bir şey sanırım doğru yada yanlış basitçe açıklayabilirmisiniz kanbersiz düğün olmaz çünki
Linkback: Ynt: TE-2012

Merhaba Arkadaşlar,

Yapacağımız işi TurkzeuS anlamış ama 1 eksik ile. Sadece analog kısmı değil. İçinde birde MCU olacak ve bu MCU bir protokol ile programlanabilecek. Bu programlama işlemi C ile program yazma şeklinde değilde özellik ayarlama gibi olacak. Bu yapacağımız entegre metal algılama ve ayrım dahil bir dedektörün çalışması için gerekli tüm özellikleri barındıracak. Ayrıca algılama ve ayrım işlerini kendi yapmak isteyen kişiler de entegreyi kazancı ayarlanabilen bir opamp gibi programlayıp çıkışta sönümlenmeyi görebilecek ve buradan sonrasını kendi yapacak. Bu şekilde kullanımının en büyük avantajı tüm korumalar, filtreler v.b. işlerin entegre içinde kalacak ve kullanacak kişinin bunları düşünmesi gerekmeyecek. Ayrıca tüm bunlar altın kaplamalı beslemesi orta karmandan geçen 4 katlı bir PCB de gerçekleşeceği için stabilitesi de normal bir devreye göre daha ihi olacak( böyle olmasını umuyorum).

Saygılar

@karadağ ustam;
peki bu modülün maliyeti ne kadar olur sizce?
yani malum şuan ki DIP in maliyetini hepimiz az çok biliyoruz, hatta kartı fabrikasyon yaptırsak dahi bunun maliyeti kabaca belirli...

Alıntı yapılan: pro-TR - 21 Ağustos 2012, 13:11:40
@karadağ ustam;
peki bu modülün maliyeti ne kadar olur sizce?
yani malum şuan ki DIP in maliyetini hepimiz az çok biliyoruz, hatta kartı fabrikasyon yaptırsak dahi bunun maliyeti kabaca belirli...

Maliyeti analog devreye göre daha uygun olacak şekilde çalışma yapıyorum. Zaten bunun ile beraber 1 adet fet, besleme, istenirse mcu ve lcd ile beraber bir dedektör oluşacak.

tesla kardeş şimdi bir kart düşün ama kibrit kutusu kadar üzerinde entegre  pulse dedektör + mikro işlemci cikista kullanılan fet ses katı vs.vs hepsini ustunde barındıracak isteyen kendi yazılımını kullanacak yada şöyle düşün pic proje geliştirme kartları varya buda dedektör geliştirme kartı olacak ..........  ben öyle aladım hatam varsa ustalarım düzeltsin

teşekkürler alakan için abi aksilik olmazsa genelde  hafta bir karargaha uğrayıp rapor alıyorum
dün öğrendim ne olduğunu  dediğin gibi yani  içerden sana bilgi sızdıran çasusların var sanırım
555 entegresi gibi çok kullanışlı olucak istediğin gibi eklentilerini tamamla devreni yap artık her hafta piyasaya bir dedektör çıkar herhalde ben kenar tarama tasarlıycam milleti alan tarama cihazlarından kurtarıcam  ultra megatronik  kenar tarama yakında çok yakında teknoloji ekibi bayilerin dedektör piyasası yer yerinden oynıycak

Insallah kardes yàparsan kullaniriz :-) kenar tarama kose tarama farketmez tarasinda  :-)

Sadece konu guncelligini kaybetmesin liste baslarinda kalsin diyorum burdan butun arkadaslara sesleniyorum bu konu onemli bi konu proje tamamlanmadan extra neler yapilabilir neler eklene bilir dusunelim bir dedektor nasil olmali bir dedektorden beklentilerimiz neler olmali diye

?

bir pı dedektörde ön planda ne olmalıdır?
stabilite mi? ayrım mı? derinlik mi? az kompenentle çok iş mi?
bence bu konuyu masaya yatıracaksak şayet, tasarlanacak cihazda;
1-------- TX katı
a) P kalan mosfet kullanalım
   p kanal mosfet kullanacaksak avantajları nelerdir, devreye etkisi nedir.dezanatajları nelerdir. şayet p kanal sececeksek sebebleri nedir
b) N kanal mosfet kullanacaksak aynı şekilde avantajları nedir? dezavantajları nelerdir? seçin nedenimiz ne olmalıdır?
2---------ALICI katı

3-----------Besleme katı

4-------- İşlemci katı

5---------görsellik iiçin kullanılacak ekran tipi (glcd, lcd, dotmatris ekran, led, vu metre vs vs)

6----------ses katı

7----------başlık tipi (mono başlık, çift başlık, küçük başlık, büyük başlık, 3R lik bobin, 5 r lik bobin, 500uH lik bobin, mh lik boBin, emaye telden yapılmış bobin, cat-5 kablosu, çok damArlı elEktrik kablosu, diafOn kablosu vs vs

yani arkadaşlar söylemek istediğim konu şu? imamı azama sormuşlar (islam alimi- mezhep imamı)
bu kadar bilgiye nAsıl ulaştın?
doğru soruyu sorarak....
o zaman gelin hep beraber, eVcaplardAn önce doğru soruları bulalım, buraya yazalım, bilDiklerimiz kAdAr herkEs cevap versin...

mesela arkadaşlar 1 kısım olan TX deki mosfet seçimi için p kanal ve n kanal değerlendirmesini bildiğim kadarıyla yapayım, eksiklerimi ve hatalarımı ustalarım düzelteceklerdir.

a) p kanal mosfet ; beslemede +v u tetikler, flyback gerilimi max. 800vac, peak gerilimi 200v, sinyal akünün 0v unda oluşur, sinyal oluşturulurken genellikle gnd noktasını akünün 0v kısmı yapar, işlemcili devreler için idealdir. n kanala göre mesafesi 5-10 cm düşüktür. paraziti azdır. n kanala göre gücü zayıftır. opamp beslemeleri için devreyi fazla kasmaz.


b)n kanal mosfet; beslemede -v u tetikler, flyback gerilimi ort. 1200vac, peak gerilimi 400v, sinyal oluşurken (sönümlenme sinyali) akünün +12v kısmı yapar, gnd noktası +12v dolaylarında olur (delta pulse gibi ortaya da alınabilir ancak genellemede +12v kısmıodır) iişlemcili devreler için işlemci beslemesi ve sinyal v aralığı uyumsuzluğu genellikle oluşur. p kanala göre mesafesi daha iyidir. paraziti fazladır. stabilitesi azdır. opamp beslemeleri için geenllikle sıkıntı yaratır.

c) mosfet yerine IGbt veya özellikle güç tranzistorlerinin kullanımı ise daha farklı boyutlaradır.

Merhaba Arkadaşlar,

Projeyi biryere kadar getirdim. Şu anda geldiğim noktada denemeleri yapabilmek için QFN kılıflar, seramik PCB ve hybrid dirençleri kulanmadım.

Şu anda tssop kılıflar ile 603 kılıflı malzemeler ile PCB yi çiziyorum. Bu şekilde devreyi çalıştırıp yazılımı tamamladığımda düzenleme ile QFN kılıf, seramik PCB ve hybrid dirence geçeceğim.

Şu adan boyut 2 cm ye 3.4 cm civarında. 1. resimde şu anki hali yer alıyor. Daha çizimi tam bitirmedim. Son halinde boyutu çok daha küçültme hedefim yok ama görünüşü 2. resimdeki gibi yapma niyetim var. Yani sonuçta 3. resimdeki gibi bir ürün elde etmeye çalışacağız.


Şimdi gelelim tartışam konularına,

Öncelike şunu belirtmek istiyorum. Buradaki amacım dedektör değil birnevi dedektör entegresi yapmak. Bu sayede kimin ne ekranı kullandığını ne ses devresini kullandığını, ne gibi bir besleme kullandığını düşünmeden kendi parametrelerinde mesela 10-15V 2A besleme, 3-4R /400,600uH bobin ile algılama yapabilecek. isteğe bağlı olarak kazancı ayarlanabilen bir yükselteç, isteğe bağlı olarak ayrım bilgisini ve metal varlığını verebilen, çalışma frekansı çıkış şekli, hassasiyeti v.b. birçok özelliği bir protokol ile programlanabilen bir entegre devre yapmayı düşünüyorum.

Şimdiye kadarki tasarımı GND de meydana gelen oynamaların dedektörü daha az etkilemesi için N tipi ile yaptım. Ama bu böyle olacak diye şart yok tabiki. Güç transistörü yada IGBT ile bir denemem olmadı bu nedenle IGBT ve güç transistörü için net yorum yapamayacağım. Eğer çalışması olan arkadaşlar varsa paylaşırsa sevinirim. Öte yandan Selami usta elinde p tipi mosfetle çalışan bir dedektör varsa gnd de meydana gelen değişimlerin etkisi için bir inceleme yapabilirmisin.


Saygılar

Geçenlerde ıgbt hakkında bir araştırma yapmıştım bu konuda bilgilendirme ve sorularım var
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Insulated, Gate, Bipolar, Transistor, kelimesinin baş harflerinden oluşan bu elektronik devre elemanını sürerken mosfet gibi, (voltaj kontrollü) iş yaparken bipolar transistör (yüksek akım) gibi davranır.
Bir devre yardımıyla açıp kapatabileceğiniz bir diyot gibi, gate ucu ile kontrol edebileceğiniz triak gibi ya da yine gate ile kontrol edebileceğiniz bir mosfet transistor gibi kullanabilirsiniz.
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ıgbt yukarıdaki bilgilere göre çok fonksiyonlu yüksek güçlerede çalışan yeni nesil teknoloiji bir ürün
devre tasarımı için bu mosfetten çok daha iyi bir  malzeme olmasının yanında bu artı fazladan özelliklerde devre tasarımı için en uygun malzeme olduğu anlamınamı gelir yoksa bize bir fayda sağlamazmı ?
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Mosfet ve BJT'lerin üstün özelliklerini bir arada barındıran en son yarı iletken teknolojisi olan IGBT ler düşük anahtarlama güç kaybı ve yüksek anahtarlama hızlarıyla sistem performansını arttırmaktadırlar.
Bir periyod boyunca yüzlerce kez tetiklenebilen IGBT ler, sistemde PWM kontrol tekniğinin uygulanmasına olanak sağlamaktadır.
ups inverter ac güç kontrolu gibi devrelerin vazgeçilmezi haline gelmiş
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
yüksek hızlı ve güç sağlayan ve düşük kayıplı performanslı bir malzeme olduğu gözüküyor
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
IGBT'nin anahtarlama kayıpları tarafından sınırlanan, pratik olarak kullanabileceği
frekans değeri, uygulama alanına göre farklılık gösterir. Örneğin darbe genişlik
modülasyonlu (PWM) bir invertörde frekans yükseldikçe, iletimden çıkma sırasındaki
komütasyon diyodundaki kayıplar çok artar. Bu durum IGBT'nin kullanımını 50kHz ile
sınırlar. Fakat diğer uygulamalarda, örneğin yüksek frekanslı rezonans tipi invertörlerde 250
kHz civarındaki frekanslarda pratik olarak kullanılabilir. IGBT'yi anma değerleri aynı olan
MOSFET ile iletimdeki kayıplar açısından karşılaştıracak olursak; 50 kHz'lik uygulamalarda
GBT'de 6 W kaybolurken MOSFET'te bu değer, 9 W'tır
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
yukarıdaki bilgilere görede mosfete göre 4/1 oranında daha azbir güç kaybı vardır  50 khz gibi frekans sınırı vardır bu duruma göre puls dedektör devreleri için fazlasıyla yettiği görülmekterdir fakat bu frekans aralığı vlfl dedektörleri için   limitlerinin altındamı  yetersizmi kalır ?
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Kılıf Tipi TO-247AC Anahtarlama hızı Ultra Fast 4-20kHz 1200v 45a 200w gücünde ğiyasa fiyatları
10-20 tl civarı pahalı gibi gözüksede bir dedekktörün kalitesi için en önemli malzemesi bu parça bence
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
tasarlanan dedektör kesinlikle  gürültüsüz çalışmalı ona göre kanal seçimi yapılmalı gücü ve mesafeleri ikinci planda olmalı
mosfetlerde Enhancement (Çoğaltan Kanallı) Mosfetler var
Enhancement mosfetler azaltan kanallı mosfetlerin aksine normalde ''OFF'' durumunda olan mosfetlerdir. Enhancement mosfetlerin G ucuna gerilim uygulanmadığı sürece D ve S uçları arasından akım geçmez.
çalışmadı anlarda güç harcamaz akım sızdırmadığı için off tipi olduğundan  tam konturol sağlanabilir
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
tasarlanan devrenin endüktans değeri daha yüksek olmalı 1mh gibi değerlere ulaşmalı yüksek endüktanslı bobin den yüksek akım geçirmekle ancak   daha  büyük manyetik alanın olması sağlanır  bobinin doyuma ulaşma süresi uzatıcaz pals süresini uzatıp metalllerin tam anlamıyla doyuma ulaşması sağlanır bu bize ayrıca pice daha az bir yük getirecek daha geniş aralıkta örnekle alınması incelemesine olanak sağlıycak suan cihaz metal algılamadığı bir mesafede 5sny sonra algılayabilir
hale geliyo bunu ölçüp gözlemledim bu metale ve mesafelere göre farklılık göşteriyo
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
hatalarım yanlış düşücelerim varsa siz daha iyibilirsiniz gereken açıklamayı yaparsınız bildiklerim düşücelerim fikirlerim bunlar herkeze kolay gelsin uzun yazılarım dolayı kelime hatalarım olabiliyo
kusura bakmayın

s.a.
karadağ ustam kullandığımız mosfetleri direk işlemci ile sürmek oldukça zor illa ki sürücü katı gerektiriyor. HEXFET power mosfetler var n kanalda mesela IRCZ44 işlemci ile direk bobin sürülebilir diye düşünüyorum, ne dersiniz...
bu arada p kanal devrede sinyalin gnd ye etkisini sormuşsunuz, kusura bakmayın yeni farkettim. p kanalda sinyal akünün 0v unda yani orjinal GND noktasında oluşuyor, n kanala göre çok çok daha iyi ve az parazitli ne var ki mesafe n kanala göre daha düşük...

Merhaba Arkadaşlar,

a.s. pro-TR, Feti sürmek için içinde yine fetli bir devre bulunan fet sürücü bir entegre kullandım.

Takip ediyormusunuz bilmiyorum ama geotech de çift bobinli( elektriksel gürültüyü engellemesi için) çalışmalar yaptılar. Ben de geçen sene bazı denemeler yapmıştım. Devre farksal çalışan çift bobin ile stabilitede başarıyı artırıyor. Devreyi bu bağlamda çift bobinli olarak devam etmeyi düşünüyorum. Daha önce yaptığım çalışmaları raflardan çıkartma zamanı geldi sanırım.

Ayrıca pazar günü elime bir lorenz geçti. İyice inceledim. Dedektör her metale farklı değer veriyor. Aynı vlf dedektör gibi demire 80 diyor başka da bişey demiyor. Metali yaklaştırmak uzaklaştırmak fark ettirmiyor. altın 10, bakır 10, demir 80. Ve bunu adam tek bobin ile yapmış. Dedektör de gayet stabildi açıkcası. Devresini inceledim. Adamlar ne var ne yoksa silmişler ama baya bir kısmı anlaşılabiliniyor.

Saygılar

Alıntı YapFeti sürmek için içinde yine fetli bir devre bulunan fet sürücü bir entegre kullandım.

usta bu entegre özel bişeymi acaba?
açıkcası geotech1.forumu takip etmiyorum, edemiyorum.
farksal bobin konusunda çok detaylı bir çalışma yapmadım. çift mosfetli vs denemelerim olmuştu, çoklu sample hold ile ilgili çalışma yaptım, ama onuda sonuçlandıramadım.
pı de ayrım yapan o cihazlardan hiç görmedim. yani bahsettiğiniz lorenz veya fabrikasyon bir PI, aslında çok trajıkomik bir durumum var. sen 6-7 yıl PI ile uğraş ama hiç pı görme....
ustam konu alıyor başını gidiyor ancak her.gi bir şema oluşmadı. yada varsa ben göremedim

Merhaba,

Düzgün bişey ortaya koymadan yayınlamak istemedim. Biraz toparlayayım yani en aznıdan teori olarak düşündüklerimi pratikte çalıştırayım yayınlayacağım. 

Açıkcası lorenzi gördüm kii pi dedektörde gerçekten ayrım varmış. Hemde vlf gibi ayrım varmış. Hemde adam bunu bizim bildiğimiz klasik bobin, sönümlenme direnci, preamp mantığı ile yapmış. Öyle amerikayı keşfe falan kalkmamış. Gerçi çift bobini lorenz de kullanmış bazı modellerinde ama ayrım olarak fark olduğunu sanmıyorum.

saygılar

Bu arada fet driveri sormuşsun kusura bakma yani farkettim kafam fazlası ile bulanık bu aralar. Digikeyden buldum. mcp1416.

Alıntı yapılan: Karadağ - 11 Eylül 2012, 15:08:34
Merhaba,

Düzgün bişey ortaya koymadan yayınlamak istemedim. Biraz toparlayayım yani en aznıdan teori olarak düşündüklerimi pratikte çalıştırayım yayınlayacağım. 

Açıkcası lorenzi gördüm kii pi dedektörde gerçekten ayrım varmış. Hemde vlf gibi ayrım varmış. Hemde adam bunu bizim bildiğimiz klasik bobin, sönümlenme direnci, preamp mantığı ile yapmış. Öyle amerikayı keşfe falan kalkmamış. Gerçi çift bobini lorenz de kullanmış bazı modellerinde ama ayrım olarak fark olduğunu sanmıyorum.

saygılar

s.a. usta ayrım derken yalnız dikkat et, Pı den bahsediyoruz biz, benim bildiğim o cihaz PI-IB sistem yani consantrik başlık, büyük başlıkta ayrım yoktur, tıpkı stinger2 veya kyzikos gibi...
öyle değilmi?

Alıntı yapılan: Karadağ - 11 Eylül 2012, 15:14:58
Bu arada fet driveri sormuşsun kusura bakma yani farkettim kafam fazlası ile bulanık bu aralar. Digikeyden buldum. mcp1416.

ustam bu klasik mosfet driver mosfeti sürmek için, ben TC serisi buna benzerlerini kullandım.
http://www.dorukanstore.com/TC427CPA-RoHS,PR-1031.html
oysa benim söylemek istediğim hexfet power mosfetler bu tip sürücülere gerek kalmaksızın direk işlemci ile mosfeti sürenlerdi..
örnek olarak;
http://www.dorukanstore.com/IRLZ34N-RoHS,PR-6086.html
aşağıdaki datasheette fig 10a ve fig12a daki gate girişlerine bakarsan tetik sinyalinin 0-5v aralığı olduğu ve sonuçta da bu tip mosfetleri direk işlemciden sürebileceğimiz manasına gelmez mi? yoksa yanılıyormuyum...