Mosfet Ton zamanı.

Teorik olarak bobin üzerindeki akım sonsuzda max. değerine ulaşır. ama 5*L/r  (L indüktans , r bobin iç direnci) gibi bir süre içerisinde bobin yeterinde doyuma ulaşır. örneğin 700uH 3ohm bir bobin için  5*700*10E-6/3 = 1166usn(1,166ms) gibi bir süre çıkar. YAni mosfetimizin görev periyodunda ton = 1166usn. olmalıki bobin tam doyuma ulaştı densin.

[IMG]http://i53.tinypic.com/210lpia.jpg[/img]

[IMG]http://i53.tinypic.com/2usbbia.jpg[/img]

Neredeyse 4A.'e yakın. Fazlası yada azı zarar. İdeal ton yukarıdaki gibi hesaplanmalı.

Linkback: Ynt: Darbe indüksiyon dedektörün mesafe arttırımı

usta ben çok usta bir elektronikçi değilim şu formulde ki 5 değeri sabit mi? yani o değer nerden geliyor. ayrıca delta pulse den örnek verecek olursak puls değerini (güç olarak nitelendiren) yani duty değeri max 600uS ve vaktiyle yaptığımız denemelerde biz palsimizi (duty değerimizi) 1mS ye çıkardığımızda ki bu forumda araştırın gereksiz enerji tüketimi diye izah edilmişti. şimdi amatör olarak çelişkiye düştüm. oysa yaptığım devrelerin birinde (superscan,mk2 adlı devrede bu pals süresi 1mS) civarındaydı ve bilinen en derin pı olarak tanınıyordu. şimdi yanlış anlamıyorsam bazı şeyleri anlamaya başladım 
SONUÇ olarak;
yinede çok aşırıya kaçmadan 30-40v seviyelerinde bir devre kuracağım, konuyu anlamak adına ama verdiğiniz bilgiler için teşekkür ederim. önerilerinize ve bilgilerinize her zaman açığım.

*5 değeri sabittir. bobin yaklaşık %90'dan fazla doyuma ulaşır 5*L/r süre içerisinde.
*delta pulse için bobin değerleri 400uH ve 3ohm diye hatırlıyorum. buradan 600usn normaldir. (yukarıda 1.166ms çıkan örnekte 700uH,3ohm içindi.)
*bu değerden fazla sürelerde gereksiz güç tüketimi normaldir.

40volt deneyin. sağlam bir akü lazım olacak. küçük aküler çabuk bitebilir. sonuçları merakla bekliyorum .

Lord-ex konuyu güzel açıklamışsın tebrikler.

  bu  konuyla  alakalı  son bırsey  eklemek  ısterım     onemlı  bır  konu   calıstırmak  ıstedımız  mos  veya  transıstor   yada opampın...   calısma   gerılımlerı  frekansı  akımını ureten  fırma  kullanım  sınırlarını  belırler  her  mos  transıstrun    dataset   pdf lerınde   maksımum  calısma  gerılımlerı  akımı  gucu ve  calısacagı  frekanslarını  verırıler    yapılan hesaplardan  daha onemlı  bu   belgeler  mevcut      maksımum  calısma  gerılımı  200  volt olan  bır  mosu  12  voltta  beslenırse   akım  frekans  guc  gıbı  foktorlerınde  dusegını  tahmın  edılebılır  kullanmak ıstedımız  malzememnın  belge ve dokumanların         bunların  incelenmesı   bır  mosu   farklı frekanslar voltajlarda  uygulamalı deneyerek    uygulamaların  daha  basarılı  olucanı  dusunuyorum

s.a.
alıcı katımızın ilk kısmını oluşturan kırpıcı diyotların önemi konusunda bilgisi olan varmı arkadaşlar?
yani gönderme bobinimizde oluşan flyback gerilimi (pik gerilimide deniyor sanırım) 1N4148 hızlı diyot deniyor (high speed) ne kadar hızlı ise 

4148 lerin polarması 0,7v yani
oluşan pik gerilimini 0,7v civarlarına çekiyor yanlış bilmiyorsam, bazı devrelerde ise (mesela xr-71) shotki diotlarda kullanılıyor, bazılarında ise seri çiftli 4148 ler giriliyor (delta lite, Pı-IB sistemlerde sasho pı gibi) bunların sinyale etkileri nelerdir? bu konuda düşünceleriniz varmıdır?
N kanal mosfet için ben 4148 yerine bat49 gibi shotki diot eklemenin bir farkını görmedim. ancak P kanal mosfette shotki diot kullanmanın sönümlenme süresini uzattığını farkettim. (yanlış hatırlamıyorsam) bir N kanallarda diğer etki de 4148 leri girerken bu diotlara seri 47R civarlarında direnc girmek söndürme süresini etkilediğinin farkına vardım. burda amacım söndürme süresini uzatmak iyi ancak sinyali yavaşlatmak bazı sıkıntılar yaratmaktadır kanaatindeyim. bence teki hızımızdan ödün vermeden ne tür bri diot kullanmak akıllıca olur?

bu arada admin arkadaşım, yazdığım yazıları gönderdikten sonra tekrar düzelteme yapamıyorum, zira cümle düşüklüğü, hatalı yazımları düzeltemiyorum. 
öğrenmenin en iyi yolu doğru soruyu sormaktır. düşüncesi ile derdimi mümkün olduğunca doğru anlatmaya çalışıyorum.

Diyotlara bağladığın seri direncin sönüm eğrisini değiştirdiğinin farkındamısın. Belki denemelerinde bu değeri değiştirmişsindir. Tasarımın tam olarak nasıldı bilmiyorum ama yaptığın iki deneyinde şemasını cizersen yorumlayabiliriz.

[IMG]http://i56.tinypic.com/2pzivps.jpg[/img]

Resimde sadece diyotlara seri bağlı olan direnci değiştirdiğimde neler olduğu görülüyor. Diyotların üzerinde bu gerilimi izleyebilirsiniz. Farkındaysan ilk birkaç eğri 1.4 volta yakın. bu değerleri bir diyot üzerinden değilde seri bağlı 2 diyot kullanarak elde edebilirsin. irf 740 ile yaptığımı simulasyon bu.

[IMG]http://i52.tinypic.com/nbdu78.jpg[/img]

Bu ise irf 1010 ile yapılan bir simulasyon. Mosfet değişikliği çok ilginç sonuçlar veriyor. Ama ikiside N-Channel mos.


*Genel olarak diyotlar 1000v a yakın gerilimin tabiri caizse sıkıştırılmasına yada zoom yapılarak ufaltılmasına yardımcı oluyor. Tasarımdan, metalin büyüklüğünden ,yakınlığından ,bobin indüktansından, anahtarlama frekansından vs. parametrelerden değişecek bobinin üreteceği ters emk değişecektir. Bu değişikliklerden dolayı kazanç op-amp'ı saturasyona girebilir. Bunun sabitlemek için diyotlar kullanılmış. Ama yukarıda dediğim gibi diyotlara bağlı seri direnç önemli. Eğim farklı direnç değerlerinde çok farklı sonuçlar veriyor. Osilaskopunuz varsa deneyip sonucu yazarmısınız?

s.a.
ustam ya IRF1010 un datasheetinde Rds değeri çok farklı yani çok yüksek bir değer değilmi? sizin daha önceki söylemlerinizde daha düşük olması avantaj dememişmiydiniz yoksa benmi yanlış anladım

Farkındaysanız 12mOhm yazmış. IRF740   0.55 Ohm dur.
                                           IRF1010 0.012 Ohm

Hem IRF1010 kullanın demiyorum. Sadece Rds direnci düşük bir mosfet örneği için bu mosfetin adı geçti.Sadece örnekti.

s.a.
ustam ben onu megaohm okudum
IRF1010 elbette bir örnek, biz mosfetin ismine değil işlevini konuşuyoruz diye düşünüyorum.
4148 lere seri dirence gelince madem simülasyon yapıyorsunuz. şöyle yapın.
(tam hatırlamıyorum ama)
4148 lerden tekinde kullanmıştım. Yas inyalden  Gnd ye gidenin önüne yada gnd den sinyale gidenin önüne takmıştım bu direnci ve bu direnc değeri 100R yi bulmuyordu. 47R gibi bir değerdi sanırım.

kırpıcı diyotlara gelince konu, germanyum diotmu? shotki mi? yada normal 4148 türü bir diot olmasının sinyale etkisi ne olabilir?

Alıntı yapılan: pro-TR - 27 Ocak 2011, 16:45:55
s.a.
ustam ben onu megaohm okudum
IRF1010 elbette bir örnek, biz mosfetin ismine değil işlevini konuşuyoruz diye düşünüyorum.
4148 lere seri dirence gelince madem simülasyon yapıyorsunuz. şöyle yapın.
(tam hatırlamıyorum ama)
4148 lerden tekinde kullanmıştım. Yas inyalden  Gnd ye gidenin önüne yada gnd den sinyale gidenin önüne takmıştım bu direnci ve bu direnc değeri 100R yi bulmuyordu. 47R gibi bir değerdi sanırım.

[IMG]http://i53.tinypic.com/oan5u9.jpg[/img]

Alıntı yapılan: pro-TR - 27 Ocak 2011, 16:48:04
kırpıcı diyotlara gelince konu, germanyum diotmu? shotki mi? yada normal 4148 türü bir diot olmasının sinyale etkisi ne olabilir?

1n4148 den hızlı silisyum bir diyot deneyin. Örneğin Schottky diotların iletimdeki gösterdikleri direnç lineer değildir. Yani sizin sönüm eğrisinin yapısını bozar.

mosfetlerin resistance değerleri daha düşük olanlarda mevcut, tabi alıp denemek lazım ama şuan için denem şansım yok, ileriye yönelik neden olmasın

benim uygulamam bu şekilde birşeydi.

Bana Pek mantıklı gelmedi. Denedinizmi bunu?

Alıntı yapılan: LORD_EX - 27 Ocak 2011, 17:57:22
Bana Pek mantıklı gelmedi. Denedinizmi bunu?

evet denemiştim, şu var 4148 deki direncin yeri farklı konumlarda olabilir, tam hatırlamıyorum. ama sanki sinyal daha iyi gibi

Alıntı yapılan: pro-TR - 27 Ocak 2011, 17:14:47
benim uygulamam bu şekilde birşeydi.

47R ve 680R gerilim bölücü olarak çalışır. çıkıştan 25v tepe gerilimine sahip bir sinyal alırsın. (Bobin 400v zıt emk ürettiğini kabul edersek.)

usta o direncin yerini tam hatırlamıyorum. diotların hangi yönünde olduğu hakkında; ancak sönümlenme eğrisi üzerinde bir kırılma meydana getirmekte ve kırılmanın alt kısmında metal algılama daha hassas olmaktadır. Bununla beraber geçen haftasonu çorum-pı kare başlık takmıştım 25 cm lik ve sönümlenmenin alt tarafında bir kuyruk oluştu, belki başlığın kare olması belki endüktansının farklı gelmesi sebeb olabilir, ben kuyruğu yok etmek için epey uğraştım sonra dikkat ettim ki bu kuyruk değerlide daha hızlı değersizde neredeyse hiç kıpırdamanma olmadan sönümlenme değişiyordu. öylece bıraktım. dikkatimi çeken diğer bir konu ise diffrensiyel opamp girişi normal ama çıkışta oluşuyordu bu sinyal, inanın 5 senedir ilk defa bu kadar net ayrımı skoptan gördüm. yalnız farklı ebatta ki metallerde bu eğri hassasiyeti değişebiliyor. bu da ayrımın garantisini azaltıyor.
bu aralar 30 0 30 luk smps devresi ile uğraşıyorum dedektör devreme eklemek için. dikkatimi çeken hexfet mosfeti yani IRFP064N bunun Rds = 0,008 gibi bir değeri var ilginç geldi bana, elimde bu mosfet olmadığı için sipariş ettim, zaten smps için ihtiyacım vardı, sanırım salı günü gibi elime gecer. bakalım birde bunu deneyelim. neler değişecek.